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        國家標準主導修訂單位 | 21年充電電池專業(yè)廠家專注鎳氫電池、鋰電池研發(fā)、生產(chǎn)和定制

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        什么是鋰電保護芯片,鋰電池芯片功能作用

        2020-04-10 11:21:26 

        現(xiàn)在的中國輕便式電子元器件變得越來越受大家喜愛,其電池設備也變成特別關(guān)注的聚焦點,主要是因為動力鋰電池和聚合鋰電池能量密度大、使用時間長、能滿足綠色環(huán)保規(guī)定,已逐步替代鎳鎘電池和鎳氫充電電池,變成便攜式設備的優(yōu)先選擇充電電池。鋰電保護芯片是為使用在手持式機器設備(如蜂窩電話,PDA)的單節(jié)動力鋰電池而設計構(gòu)思的。下面我們來看看什么是鋰電保護芯片,鋰電池芯片功能作用。

        鋰電池保護芯片


        什么是鋰電保護芯片


        鋰電保護芯片是單節(jié)可充鋰離子/聚合物鋰電池的過頭充電/放電/過工作電流保護芯片,它也包含一個短路容量保護裝置,防止出現(xiàn)外電路短路時的大工作電流。選用高抗壓生產(chǎn)工藝研制,抗壓不少于二十八V,在產(chǎn)品檢驗到過放電后,芯片將中止內(nèi)部開關(guān)電源電路運轉(zhuǎn)以維護目前擁有在非常低的用電量程度。根據(jù)將DS端調(diào)到與VDD類似的電平,能將上述保護延長時間(除過流保護電路)大幅度縮短。


        鋰電池芯片功能作用


        1、保護芯片正常情況下運轉(zhuǎn):


        保護芯片上MOS管一開始很有可能正處于關(guān)掉狀況,電池接好保護芯片后,務必先開啟MOS管,P+與P-端才有輸出電壓,開啟適用最簡單的方法——用一輸電線把B-與P-接線。


        2、過工作電流產(chǎn)品檢驗的設計構(gòu)思


        當VM接線端子工作電壓高于過工作電流1產(chǎn)品檢驗工作電壓,并且這一個狀況在過工作電流1產(chǎn)品檢驗響應時間上述時,關(guān)掉放電用的FET進而終止放電。


        當VM接線端子工作電壓高于過工作電流2產(chǎn)品檢驗工作電壓,并且這一個狀況在過工作電流2產(chǎn)品檢驗響應時間上述時,關(guān)掉放電用的FET進而終止放電。


        3、過電壓產(chǎn)品檢驗的設計構(gòu)思


        當鋰電池突然出現(xiàn)過充電時,過頭充電比較器跳變,過充電產(chǎn)品檢驗工作電壓VCU從H變成L,經(jīng)由過充電產(chǎn)品檢驗響應時間后,全面禁止電池充電。與此同時,開關(guān)電源電路的導出TCU為H,經(jīng)由一個反饋電路使過充電比較器的輸入工作電壓升高,所以電池電壓務必降低更多才能使比較器導出變?yōu)镠.這就實現(xiàn)了過充電遲滯工作電壓的設計過程。


        當電池過放電時,過放電產(chǎn)品檢驗工作電壓VDL從H變?yōu)長,經(jīng)由時間TDL后,全面禁止電池放電。此時,根據(jù)0V充電全面禁止模塊使VM升高,進而五個比較器的使能端SD跳變?yōu)闊o效狀況,此時開關(guān)電源電路中的五個比較器都不運轉(zhuǎn),并且振蕩器也不運轉(zhuǎn),開關(guān)電源電路步入休眠模式。當VM降低使SD再次發(fā)生改變時,開關(guān)電源電路解除休眠模式。休眠模式的工作電流不能高于100nA.


        4、過流保護:


        在P+與P-上接好一合適的負載后,電池開始放電其電流方向如I2,工作電流從電池的正極經(jīng)負載、D2、MOS1到電池的負極,(這個時候MOS2被D2短路);當負載突然之間減小,IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而產(chǎn)生的工作電壓這個時候IC取樣并傳出指令,讓MOS1結(jié)束,控制回路斷開,電池被保護了。


        5、過流保護電路:


        在P+與P-上接上空負載后,電池開始放電其電流方向如I2,工作電流從電池的正極經(jīng)負載、D2、MOS1到電池的負極,(這個時候MOS2被D2短路);IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而產(chǎn)生的工作電壓這個時候IC取樣并傳出指令,讓MOS1結(jié)束,控制回路斷開,電池被保護了。


        鋰電池芯片工作原理


        1.鋰電保護芯片休眠模式


        CW1055步入過放保護狀況,并高于休眠模式延長時間時間(Tslp),則CW1055會步入休眠模式。DO維持低電平,CO維持高阻態(tài),維護目前擁有充放電MOSFET的狀況。休眠模式解除條件:VM工作電壓正處于Vslp工作電壓以下。


        2.通常狀況的工作原理


        通常狀況下,即電池電壓在過放電產(chǎn)品檢驗工作電壓(VDL)上述且在過充電產(chǎn)品檢驗工作電壓(VCU)以下,VM接線端子的工作電壓在充電器產(chǎn)品檢驗工作電壓(VCHA)上述且在過工作電流1產(chǎn)品檢驗工作電壓以下的情況下,設計構(gòu)思振蕩器模塊不運轉(zhuǎn),充電控制用MOSFET和放電控制用MOSFET的兩方均打開。這個時候也可以開展自由的充電和放電。


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